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        1. 產品(pin)資料

          實驗(yan)室永(yong)磁(ci)體(ti)霍爾(er)效應測(ce)試系統

          如果(guo)您對該產品(pin)感興趣(qu)的話,可(ke)以(yi)
          產品(pin)名(ming)稱(cheng): 實驗(yan)室永(yong)磁(ci)體(ti)霍爾(er)效應測(ce)試系統
          產品(pin)型號: JH60
          產品(pin)展商: 錦(jin)正茂(mao)儀器(qi)
          產品(pin)文檔: 無相關(guan)文(wen)檔(dang)

          簡(jian)單(dan)介紹

          實驗(yan)室永(yong)磁(ci)體(ti)霍爾(er)效應測(ce)試系統組(zu)成:本(ben)儀器(qi)系統(tong)由(you)永(yong)磁(ci)體(ti)、高(gao)精度(du)恒流(liu)源(yuan)高(gao)精度(du)電壓表(biao)、標準(zhun)樣(yang)品(pin)、高(gao)精度(du)高(gao)斯計和系(xi)統(tong)軟件組(zu)成。


          實驗(yan)室永(yong)磁(ci)體(ti)霍爾(er)效應測(ce)試系統  的詳細介紹

          JH60永磁(ci)體(ti)霍爾(er)效應測(ce)試儀

          產(chan)品(pin)簡介:

          霍爾效應系(xi)統(tong)組(zu)成:本(ben)儀器(qi)系統(tong)由(you)永(yong)磁(ci)體(ti)、高(gao)精度(du)恒流(liu)源(yuan)高(gao)精度(du)電壓表(biao)、霍爾(er)效應樣(yang)品(pin)支架(jia)、標準(zhun)樣(yang)品(pin)、高(gao)精度(du)高(gao)斯計和系(xi)統(tong)軟件組(zu)成。為本(ben)儀器(qi)系統(tong)專(zhuan)門研(yan)制(zhi)的 JH10 效應儀將(jiang)恒(heng)流(liu)源(yuan),六(liu)位半(ban)微(wei)伏(fu)表(biao)及霍(huo)爾測量復(fu)雜(za)的切(qie)換(huan)繼(ji)電(dian)器(qi)——開關(guan)組(zu)裝(zhuang)成壹體(ti),大大減(jian)化了實(shi)驗(yan)的連線與(yu)操作(zuo)。JH10 可(ke)單(dan)獨做(zuo)恒流(liu)源(yuan)、微伏(fu)表(biao)使用(yong)。用於測(ce)量(liang)半導體(ti)材料的載流(liu)子(zi)濃度(du)、遷移率、電(dian)阻(zu)率、霍(huo)爾系(xi)數等(deng)重(zhong)要參數(shu),而這些(xie)參數(shu)是了解(jie)半(ban)導(dao)體(ti)材料電學(xue)特(te)性(xing)必須(xu)預先(xian)掌(zhang)控(kong)的,因此霍爾(er)效應測(ce)試系統是理解(jie)和研(yan)究半(ban)導體(ti)器件和半(ban)導(dao)體(ti)材料電學(xue)特(te)性(xing)必備的工(gong)具(ju)。 實驗(yan)結果(guo)由軟件自(zi)動計算得(de)到,可(ke)同(tong)時得(de)到體(ti)載流(liu)子(zi)濃度(du)(Bulk Carrieroncentration)、表(biao)面(mian)載流(liu)子(zi)濃度(du)(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電(dian)阻(zu)率(Resistivity)、霍(huo)爾系(xi)數(Hall Coefficient)、磁(ci)致(zhi)電阻(zu)(Magnetoresistance)等(deng)。

          可(ke)測(ce)試材料:

          半導體(ti)材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵(tie)氧(yang)體(ti)材料等(deng);

          低阻(zu)抗材料:石墨烯、金(jin)屬(shu)、透明氧(yang)化物、弱磁(ci)性(xing)半(ban)導(dao)體(ti)材料、TMR 材料等(deng);

          高(gao)阻(zu)抗材料:半絕緣(yuan)的 GaAs, GaN, CdTe 等(deng)

          技(ji)術指(zhi)標:

          * 磁(ci) 場:大於(yu) 5000 高(gao)斯(間距 18mm)

          * 樣品(pin)電流(liu):±50 納(na)安~±50 毫(hao)安(*小可(ke)調(tiao)節電流(liu)為(wei) 0.1nA

          * 測量(liang)電壓:0.1 微伏~30

          * 提供各類測試標準(zhun)材(cai)料,各級別矽與(yu)砷化鎵(jia)(靈敏度與(yu)精度(du)不同)

          * *小分辨率: 1GS

          * 磁(ci)場範(fan)圍(wei): 0.5T

          * 配(pei)合高(gao)斯計或數采(cai)板可(ke)計算機(ji)通(tong)訊(xun)

          * I-V 曲線及(ji) I-R 曲線測(ce)量等(deng)

          * 電(dian)阻(zu)率範(fan)圍(wei):10-7~1011 Ohm*cm

          * 電(dian)阻(zu)範(fan)圍(wei):10 m Ohms~ 6MOhms

          * 載(zai)流(liu)子(zi)濃度(du):103~1022cm-3

          * 遷移率:0.1~108 cm2/volt*sec

          * 溫(wen)區:常(chang)溫

          * 測(ce)試全自(zi)動化,壹鍵處理(li)

          * 專(zhuan)業的歐(ou)姆接觸(chu)組(zu)合套(tao)件

          JH60 測(ce)試時,只需要輸(shu)入三個關(guan)鍵參數(shu)即(ji)可(ke)進(jin)行(xing)測量(liang),磁(ci)場的轉(zhuan)換(huan)為(wei)手(shou)動(dong)轉(zhuan)換(huan),需要轉(zhuan)換(huan)磁(ci)場方(fang)向時(shi)程(cheng)序(xu)會彈(dan)出(chu)信(xin)息(xi)框(kuang),根(gen)據測試程(cheng)序(xu)的提示(shi)完(wan)成相應的操作(zuo)即可(ke)獲(huo)得(de)樣(yang)品(pin)需要的參數(shu)。

          測(ce)量時(shi)只需要設(she)置好樣片通(tong)過(guo)的電流(liu)、樣(yang)片所(suo)在磁(ci)場環境(jing)的磁(ci)場大小、樣品(pin)厚度即(ji)可(ke)進(jin)行(xing)測量(liang),數據可(ke)以(yi)繪(hui)圖(tu),可(ke)以(yi)導出(chu)至(zhi) EXCEL 中以便後(hou)期(qi)處(chu)理及(ji)使用(yong)。


          系統構(gou)成:

          永磁(ci)體(ti)霍爾(er)效應測(ce)試系統由永(yong)磁(ci)體(ti)、高(gao)斯計、恒流(liu)源(yuan)、計算機(ji)及(ji)軟件組(zu)成。其中,高(gao)

          斯計測量永(yong)磁(ci)體(ti)磁(ci)場值;恒(heng)流(liu)源(yuan)壹方(fang)面(mian)給(gei)樣品(pin)提供電(dian)流(liu),用(yong)於霍(huo)爾效應測(ce)試,壹方(fang)面(mian)可(ke)以(yi)測

          量樣品(pin)電壓;被測樣(yang)品(pin)置於樣品(pin)板上,由固(gu)定針(zhen)固(gu)定;計算機(ji)連(lian)接高(gao)斯計、恒流(liu)源(yuan),通(tong)過(guo)軟

          件實(shi)現(xian)控(kong)制通(tong)過(guo)被測樣(yang)品(pin)的電流(liu),並(bing)獲(huo)取(qu)測得(de)的電壓值。

          產(chan)品(pin)留(liu)言(yan)
          標題(ti)
          聯系(xi)人
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          2.如(ru)有必要(yao),請(qing)您留(liu)下(xia)您的詳細聯系(xi)方(fang)式!

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