振動(dong)樣品(pin)磁強計(ji)VSM
產品(pin)概述：
可(ke)測(ce)量(liang)磁性材料(liao)的基本(ben)磁性能(如(ru)磁化曲(qu)線(xian)，磁滯回線(xian)，退(tui)磁曲(qu)線(xian)，升(sheng)溫(wen)曲(qu)線(xian)、升(sheng)/降溫(wen)曲(qu)線(xian)、降溫(wen)曲(qu)線(xian)、溫(wen)度隨(sui)時間(jian)的(de)變(bian)化(hua)等)，得(de)到(dao)相(xiang)應的各(ge)種(zhong)磁學參(can)數(如飽和(he)磁化強度，剩(sheng)余(yu)磁化強度，矯頑力，磁能積，居(ju)裏(li)溫度，磁導率(包(bao)括(kuo)初(chu)始磁導率)等)，可測(ce)量(liang)粉(fen)末(mo)、顆(ke)粒、片(pian)狀、塊狀等(deng)磁性材料(liao)。
可原(yuan)位(wei)測(ce)量(liang)磁性材料(liao)從液氮(dan)溫區至室溫或(huo)室(shi)溫(wen)至500℃溫(wen)區的磁性能隨(sui)溫度(du)的變(bian)化(hua)曲(qu)線(xian)。
技(ji)術指標(biao)：
1、測(ce)量(liang)磁矩範圍(wei)(磁極間(jian)距30mm時)：1*10-3emu—300emu(靈敏度：5×10-5emu)
2、相(xiang)對精(jing)度(量(liang)程(cheng)30emu時)：優於(yu)±1%
3、重復(fu)性(量(liang)程(cheng)30emu時)：優於(yu)±1%
4、穩定性(量(liang)程(cheng)30emu時)：連續4小(xiao)時工(gong)作優於(yu)1%
5、溫度(du)範圍(wei)：室溫(wen)到(dao)500攝(she)氏(shi)度(du)以(yi)及(ji)室溫(wen)到(dao)液氮(dan)溫區
6、磁場強度：0—±3.8T之間(jian)
電(dian)磁鐵(tie)直(zhi)流穩流電源：
※ 雙(shuang)極性恒流輸(shu)出
① 電源輸(shu)出電流可在正負額(e)定上(shang)等高(gao)電流之間(jian)連(lian)續變(bian)化(hua)
② 電流可以平滑過零(ling)點(dian)，非開(kai)關換(huan)向(xiang)
③ 輸(shu)出電流、電壓四象限工(gong)作（適(shi)合感性負載(zai)）
④ 電(dian)流變(bian)化(hua)速率可設置範圍(wei)為 0.0007～0.3 F.S./s(F.S.為(wei)額(e)定輸(shu)出極大電流）
※ 電流穩定度(du)高(gao)，紋波低(di)
①電(dian)流穩定度(du)：優於(yu)±25ppm/h（標(biao)準(zhun)型(xing)）；優 於(yu)±5ppm/h（高穩型(xing)） ② 電(dian)流準(zhun)確度(du)：±（0.01%設(she)定值(zhi)+1mA） ③ 電流分辨率：20 bit，例 15A 電源，電(dian)流分辨率為 0.03mA
④ 源效(xiao)應：≤ 2.0×10-5 F.S.（在供(gong)電(dian)電壓變(bian)化(hua) 10%時，輸(shu)出電流變(bian)化(hua)量(liang)）
⑤ 負(fu)載(zai)效(xiao)應：≤ 2.0×10-5 F.S.（在負(fu)載(zai)變(bian)化(hua) 10%時，輸(shu)出電流變(bian)化(hua)量(liang)）
⑥ 電(dian)流紋波（RMS）：小(xiao)於(yu) 1mA
※ 兩種(zhong)輸(shu)出模式(shi)
① 電流模式：直(zhi)接(jie)設(she)定(ding)磁鐵(tie)或者線(xian)圈中的電流
② 磁場模(mo)式：直(zhi)接(jie)設(she)定(ding)磁鐵(tie)或者線(xian)圈中的磁場大(da)小
註(zhu)意(yi)：磁場模(mo)式需(xu)配(pei)合本(ben)公(gong)司的高(gao)精(jing)度高斯計(ji)和(he)探頭
※ 兩種(zhong)操作(zuo)方式
① 本(ben)地(di)控(kong)制采(cai)用(yong)高(gao)清觸摸(mo)屏(ping)顯示(shi)和(he)操作(zuo)
② 遠(yuan)程(cheng)可通(tong)過 RS232 接(jie)口(kou)由計(ji)算(suan)機(ji)控(kong)制，RS485、LAN 可(ke)選
※ 多(duo)種(zhong)保(bao)護功能
①輸(shu)入電源掉(diao)電(dian)保(bao)護（輸(shu)入電源掉(diao)電(dian)時，內(nei)部(bu)保(bao)護吸收感性負載(zai)反灌能量(liang)）
②過流保(bao)護（自(zi)動(dong)降流，不可控(kong)過流則(ze)關(guan)斷電源輸(shu)出並(bing)報警）
③過熱(re)保(bao)護（模塊過熱(re)，關斷電源輸(shu)出並(bing)報警）
④水流保(bao)護（檢測(ce)冷(leng)卻水，壹(yi)旦(dan)水流太小或(huo)斷水，關(guan)斷電源輸(shu)出並(bing)報警。適用(yong)水冷(leng)電源）
⑤結(jie)露(lu)保(bao)護（檢測(ce)散(san)熱(re)管上(shang)是否(fou)有(you)冷(leng)凝水，壹(yi)旦(dan)結(jie)露(lu)，關斷電源輸(shu)出並(bing)報警。適用(yong)水冷(leng)電源）
⑥外部(bu)連(lian)鎖(suo)保(bao)護（常開(kai)或常(chang)閉(bi)輸(shu)入）
振動(dong)系(xi)統：
包(bao)括(kuo)振動(dong)桿、機(ji)械振動(dong)頭支架(jia)、樣品(pin)室及(ji)探測(ce)線(xian)圈。
磁矩測(ce)量(liang)單元：
磁矩量(liang)程(cheng)分(fen)300emu、150emu、80emu、40emu、30emu、15emu、8emu、4emu、3emu、1.5emu、800memu、400memu、300memu、150memu、80memu、40memu、30memu和(he)15memu(即(ji)0.015emu)共(gong)18檔(dang)，靈(ling)敏度優於(yu)5×10-5emu;當磁矩量(liang)程(cheng)為(wei)30emu 時，測(ce)量(liang)磁矩的相(xiang)對精(jing)度和(he)重復(fu)性均優於(yu)±1%，預熱(re)24小時，連續24小(xiao)時工(gong)作的(de)穩定性優於(yu)1%。
磁場量(liang)程(cheng)3.8T—0—-3.8T連(lian)續測(ce)量(liang)，分(fen)辯(bian)率0.1mT，相(xiang)對精(jing)度優於(yu)±1%。
振動(dong)源輸(shu)出頻率180Hz,頻率穩定度(du)優於(yu)10-5，輸(shu)出功率大於(yu)50W。
高溫(wen)爐及(ji)溫控(kong)裝置(zhi)：
加熱(re)功率500W,爐溫範圍(wei)：室溫(wen)—1000℃;
分(fen)辨(bian)率0.1℃
低溫裝置(zhi)：
樣品(pin)室的溫(wen)度(du)變(bian)化(hua)範圍(wei)：80-500K 可選，分(fen)辨(bian)率0.1K。
測(ce)量(liang)系(xi)統軟件：
*可直(zhi)接(jie)設(she)置(zhi)系(xi)統參數，直(zhi)觀(guan)顯示(shi)數據(ju)
*原(yuan)始(shi)數據(ju)文(wen)件後綴(zhui)為13D，直(zhi)接(jie)存(cun)儲(chu)於(yu)計(ji)算(suan)機(ji)之中，方便後(hou)續處理，可(ke)以使用(yong)Excel和(he)Origin直(zhi)接(jie)對(dui)數據(ju)進(jin)行(xing)處理；
*測(ce)量(liang)的(de)多(duo)種(zhong)曲(qu)線(xian)和(he)特性參數即(ji)可在(zai)微機(ji)屏(ping)幕上(shang)顯示(shi)，軟件可對(dui)數據(ju)進(jin)行(xing)任(ren)意選取(qu)，局(ju)部放大，平移，可(ke)對曲(qu)線(xian)進(jin)行(xing)平(ping)滑(hua)處理，也(ye)可在激光打(da)印機(ji)上(shang)輸(shu)出打(da)印；還可由其它通(tong)用(yong)繪圖(tu)軟件上(shang)進(jin)行(xing)處理。
*可(ke)自(zi)動(dong)測(ce)量(liang)磁化曲(qu)線(xian)，磁滯回線(xian)，快(kuai)速MH回線(xian)，升(sheng)溫(wen)曲(qu)線(xian)，降溫(wen)曲(qu)線(xian)，升(sheng)降溫(wen)曲(qu)線(xian)，控(kong)溫曲(qu)線(xian)，設(she)定溫度(du)下的(de)磁化曲(qu)線(xian)、磁滯回線(xian)、快(kuai)速MH回線(xian)，及(ji)背底(di)曲(qu)線(xian)；在(zai)已知(zhi)退(tui)磁因(yin)子(zi)和(he)樣品(pin)密度的(de)情況下，能(neng)將(jiang)VSM的開路樣品(pin)磁特性曲(qu)線(xian)自(zi)動(dong)轉(zhuan)化(hua)為(wei)物質本(ben)身(shen)（即(ji)閉(bi)路(lu)樣品(pin)）磁性測(ce)量(liang)曲(qu)線(xian)
*軟件可同(tong)時算(suan)出國(guo)際單位(wei)制(zhi)和(he)高斯單位(wei)制(zhi)下的(de)曲(qu)線(xian)參(can)數（飽和(he)磁矩/飽和(he)磁化強度/比(bi)飽和(he)磁化強度，剩(sheng)余(yu)磁矩/剩(sheng)余(yu)磁化強度，矯頑力，內(nei)稟(bing)矯(jiao)頑力，矩形(xing)系(xi)數，磁能積極大值，回線(xian)面(mian)積，居(ju)裏(li)溫度）
