JZM-D30為(wei)水(shui)平磁場(chang)方(fang)向(xiang)的(de)壹(yi)維(wei)磁場(chang)探針(zhen)臺，基(ji)本(ben)配(pei)置(zhi)包括(kuo)：單筒(tong)顯微鏡(jing)、樣品(pin) XY 位移臺(tai)、磁場(chang)發(fa)生(sheng)組件、探針(zhen)組件、臺式(shi)電腦(nao)組件以及(ji)無磁光(guang)學平(ping)臺(tai)組件。
以下為(wei)各項(xiang)配(pei)置(zhi)規(gui)格及(ji)技術(shu)參(can)數。
1、單筒(tong)顯微鏡(jing)要(yao)求：
同(tong)軸光(guang)照(zhao)明，工(gong)作距離80 mm，更大放大倍率(lv) 0.75X~5X;相(xiang)機幀(zhen)率(lv) 30 幀(zhen)，USB2.0輸(shu)出，500 萬(wan)像(xiang)素，支(zhi)持手動(dong)/自動 RGB 調節(jie)白(bai)平(ping)衡(heng)。
2、磁場(chang)發(fa)生(sheng)組件技術(shu)規(gui)格：
（1）提供(gong)水(shui)平磁場(chang) 330 mT，磁場(chang)均勻性±1%φ1 mm；磁場(chang)探測分辨(bian)率(lv) 0.02 mT，（采(cai)用(yong)霍(huo)爾探頭(tou)進行標定），具備超溫(wen)保護(hu)與自(zi)動(dong)斷(duan)電功能(neng)、磁場(chang)閉(bi)環(huan)反(fan)饋 PID功能(neng)。
（2）磁鐵電源(yuan)：電源(yuan)輸出電流可(ke)在(zai)正負(fu)額(e)定*大電流之(zhi)間(jian)連續變化(hua)，電流平(ping)滑過零無(wu)斷(duan)點(dian)且(qie)非(fei)開關換向(xiang)；輸(shu)出電流、電壓四象(xiang)限(xian)工作。
3、探針(zhen)組件功能(neng)配(pei)置(zhi)：
（1）直流探針(zhen)座 4 套：真空(kong)吸附開關底座，X/Y 方向(xiang)的(de)移動(dong)行程為(wei)±6 mm，調節(jie)分辨(bian)率(lv)±1 μm。
（2）直(zhi)流探針(zhen)5根(gen)（GGB）：針(zhen)尖(jian)直徑(jing) 1μm，可(ke)測直流*大1 A；
（3）同(tong)軸彈簧(huang)夾(jia)具 4 套：漏電精(jing)度達(da) 10 pA，*大電流 1 A，耐壓 700 V，*高(gao)頻率(lv) 1 MHz，≥1.5 m 三(san)同(tong)軸電纜線(xian)，BNC 標準(zhun)接口(kou)，同(tong)軸公接頭。
4、具備磁場(chang)手動(dong)設(she)置(zhi)功能(neng)
包括(kuo)反(fan)饋調節(jie)以(yi)及(ji)分布(bu)掃描(miao)；具備電磁鐵過(guo)載(zai)以及超(chao)溫(wen)保護(hu)報警功能(neng)；具備配(pei)置(zhi)參(can)數自(zi)動(dong)保存(cun)功(gong)能(neng)；配(pei)備相(xiang)應(ying)的(de)控(kong)制(zhi)軟件，終身(shen)使用期限。
5、樣(yang)品(pin)XY位移臺(tai)技術(shu)規(gui)格：
可(ke)兼容樣(yang)品尺(chi)寸(cun)為(wei)2英寸(cun)， 滿(man)足(zu)X/Y位移行程20mm，X/Y 位移精(jing)度 20um。
6、控(kong)制(zhi)系統配(pei)置(zhi)：CPU：intel I5；內存(cun)：16 GB；硬(ying)盤(pan)：256 GB（固(gu)態(tai)）+512 GB（機(ji)械(xie)）；集(ji)成(cheng)顯卡，顯示器23.8英寸(cun)，配(pei)備磁鐵掃(sao)場(chang)軟件。
7、無磁隔震(zhen)光(guang)學平(ping)臺(tai)：臺(tai)面(mian)尺(chi)寸(cun)≥800mm*1200mm。
8、樣(yang)品(pin)固(gu)定(ding)方(fang)式(shi)為(wei)真空(kong)吸附；（配(pei)真空(kong)泵(beng)）。
