參(can)數(shu)概(gai)述:
可(ke)以(yi)進行(xing)真空(kong)環境中的高(gao)低(di)溫測(ce)試(10K~325K)。磁場(chang)強度在(zai)x軸(zhou)上(shang)為(wei)0.75T,在(zai)Y軸(zhou)上(shang)為(wei)0.75 T,在(zai)z軸(zhou)上(shang)為(wei)0.4T。
磁(ci)場(chang)均(jun)勻(yun)性:中心(xin)區(qu)域60mm球體(ti)內(nei)為(wei)1%。
三種高精(jing)度直流(liu)電(dian)源:穩定性(xing)±25ppm
磁場(chang)分(fen)辨(bian)率:0.05 MT
角度分(fen)辨(bian)率:0.02°
樣品(pin)固(gu)定方(fang)式(shi):低(di)溫探(tan)頭(tou)
樣品(pin)臺(tai)直徑(jing):20mm,可(ke)定制(zhi)
顯(xian)微鏡:10.Y平(ping)面(mian)2*2英寸(cun),精(jing)度2μm,Z軸(zhou)行程(cheng)≥30.8mm,
放(fang)大倍數(shu):16~100x/20~4000x
探(tan)針(zhen)臂(bi)數(shu)量:4個。可(ke)選(xuan)擇的
探(tan)針(zhen)臂(bi)行(xing)程(cheng):12mm,可更(geng)換(huan)
探(tan)針(zhen)臂(bi)移動(dong)精度(du):25μM可選(xuan)
探(tan)頭(tou)長(chang)度(du):38mm
探(tan)頭(tou)直(zhi)徑(jing):0.51mm
針(zhen)尖(jian)直徑(jing):1μm
探(tan)頭(tou)材(cai)料(liao):鎢/鈹銅/GGB
泄漏(lou)精度(du):100fa低(di)溫防輻(fu)射(she)屏設計,樣品(pin)臺(tai)采用高純度無氧銅,溫度(du)均勻(yun)性較(jiao)好。
溫度(du)傳感(gan)器采用穩定性(xing)和重復(fu)性好的(de)矽二極(ji)管(guan)作為(wei)溫度(du)測(ce)量裝(zhuang)置(zhi),支(zhi)持光纖光(guang)譜(pu)特性(xing)測(ce)試,與高倍(bei)率顯(xian)示(shi)鏡兼容,可(ke)以微調和移動(dong),設備(bei)的(de)高頻(pin)特性(xing)(支持(chi)高達(da)40GHz的(de)頻率),探(tan)針(zhen)散(san)熱(re)器設計,LD/LED/PD光強/波長測(ce)試、自動流(liu)量(liang)控制、材料(liao)/器件的(de)IV/CV特性(xing)測(ce)試等。
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